Vishay Intertechnology, Inc. 今天推出了其第四代 600 VE 系列功率 MOSFET 中的最新器件。Vishay Siliconix n 溝道SiHK045N60E為電信、服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心電源應(yīng)用提供高效率，與上一代 600 VE 系列 MOSFET 相比，導(dǎo)通電阻降低了 27%，同時(shí)柵極電荷降低了 60%。這使得同級(jí)別器件的柵極充電時(shí)間導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)界最低，這是電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中使用的 600 V MOSFET 的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù) (FOM)。
Vishay 提供廣泛的 MOSFET 技術(shù)，支持電源轉(zhuǎn)換過(guò)程的所有階段，從高壓輸入到最新電子系統(tǒng)所需的低壓輸出。憑借 SiHK045N60E 和即將推出的第四代 600 VE 系列系列器件，該公司正在解決電力系統(tǒng)架構(gòu)第一階段（功率因數(shù)校正和硬開關(guān) AC/DC 轉(zhuǎn)換器拓?fù)洌┨岣咝屎凸β拭芏鹊男枨?
SiHK045N60E 基于 Vishay 最新的節(jié)能 E 系列超級(jí)結(jié)技術(shù)構(gòu)建，在 10 V 時(shí)具有 0.043 Ω 的低典型導(dǎo)通電阻和低至 65 nC 的超低柵極電荷。該器件的 FOM 為 2.8 Ω*nC，比同類中最接近的競(jìng)爭(zhēng) MOSFET 低 3.4%。為了提高開關(guān)性能，SiHK045N60E 提供 117 pF 的低有效輸出電容 C o(er)。這些值轉(zhuǎn)化為降低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗以節(jié)省能源。SiHK045N60E 的熱阻 R thJC為 0.45 °C/W，比最接近的競(jìng)爭(zhēng)器件低 11.8%，提供更高的熱容量。
今天發(fā)布的器件采用 PowerPAK ® 10x12 封裝，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，不含鹵素，設(shè)計(jì)用于在雪崩模式下承受過(guò)壓瞬變，并通過(guò) 100 % UIS 測(cè)試保證限值。
SiHK045N60E 現(xiàn)已提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
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