領先的碳化硅 (SiC) 功率半導體制造商 UnitedSiC 推出了基于其先進的第 4 代 SiC FET 技術平臺的首批四款器件。作為目前市場上第一個也是唯一一個 750V SiC FET，這些第 4 代器件基于領先的品質因數 (FoM) 實現了新的性能水平，有利于汽車、工業充電、電信整流器、數據中心 PFC 和DC-DC轉換以及可再生能源和儲能。

這些新的 SiC FET 提供 18 和 60 mohm 選項，可提供無與倫比的 FoM，每單位面積的導通電阻降低，并且固有電容低。在硬開關應用中，第 4 代 FET 表現出最低的 RDS(on) x EOSS (mohm-uJ)，從而降低了開啟和關閉損耗。在軟開關應用中，它們的低 RDS(on) x Coss(tr) (mohm-nF) 規格可提供更低的傳導損耗和更高的頻率。這些器件不僅在低溫 (25C) 或高溫 (125C) 運行時都超越了現有的競爭性 SiC MOSFET 性能，而且還提供最低的積分二極管 V F和出色的反向恢復，從而降低死區時間損耗并提高效率。

在將 UnitedSiC 的產品擴展到 750V 的過程中，新器件為設計人員提供了更多空間并減少了設計限制。這種更高的 VDS 額定值也使這些 FET 有利于 400/500V 總線電壓應用。憑借 +/-20V、5V Vth 的廣泛兼容柵極驅動，所有器件都可以在 0 至 +12V 柵極電壓下驅動。這意味著它們可以與現有的 SiC MOSFET、Si IGBT 和 Si MOSFET 柵極驅動器配合使用。

正如 UnitedSiC 工程副總裁 Anup Bhalla 所解釋的那樣：“這些設備有助于解決工程師在電壓和功率需求最高的領域工作所面臨的挑戰——從 DC-DC 轉換和車載充電到功率因數校正和太陽能逆變器。

“我們將在未來 9 個月內發布許多新的第 4 代設備，這將進一步提高成本效益、熱效率和設計空間。這將支持所有部門克服大規模采用的挑戰并加速創新。”

新型 750V 第 4 代 SiC FET 的價格（1000 片以上，美國離岸價）從 UJ4C075060K3S 的 3.57 美元到 UJ4C075018K4S 的 7.20 美元不等。所有設備均可從授權UnitedSiC代理商處獲得。

四種 SiC FET 器件如下：

UJ4C075018K3S 18mohm TO247-3L

UJ4C075018K4S 18mohm TO247-4L

UJ4C075060K3S 60毫歐 TO247-3L

UJ4C075060K4S 60毫歐 TO247-4L