模擬半導體設計創新領導者 Advanced Linear Devices Inc. (ALD) 今天宣布推出一款零柵極閾值電壓 EPAD P 溝道 MOSFET 陣列，推出業界首個精密亞閾值電路。MOSFET 目前具有業界最低的 0.2 伏 (V) 工作電壓和小于 1 納安 (nA) 的電流。這些芯片實現了能量收集和物聯網 (IoT) 傳感器應用的下一代開發所需的工作區域。

ALD310700A/ALD310700 四通道零閾值 MOSFET 旨在開發利用 0.00V 零閾值電壓的小信號精密應用。該電路非常適合需要< +0.5V 電源的極低工作電壓的設計。有史以來第一次允許電路在亞閾值區域工作，將 MOSFET 的工作范圍擴大到前所未有的信號電平。

新的 MOSFET 簡化了電路偏置方案并減少了元件數量，同時為物聯網工程師提供了更高的傳感器應用精度和靈敏度。在匹配的傳感器應用中，P 溝道 MOSFET 可以與 ALD N 溝道零閾值 MOSFET 器件一起工作。ALD310700A/ALD310700 是流行的 ALD110800A/ALD110800 精密零閾值 N 通道器件的 P 通道版本。這兩個 MOSFET 系列共同提供互補的精度性能。這些互補的配對器件支持設計精度為 0.5% 的電流鏡、電流源以及參考電源或接地源的電路，包括差分放大器輸入級、傳輸門和多路復用器。

顯著的設備特點：

• 精密失調電壓(VOS)：最大2mV，最大10mV。

• 低于 0.2V 的最低工作電壓

• 低于 1nA 的超低最低工作電流

• 匹配和跟蹤溫度特性

“這些器件的工作功率比同類 MOSFET 陣列低 100 倍。更重要的是，它們支持下一代應用的功率水平和精度，這在以前是不可能的，”Advanced Linear Devices 總裁兼創始人 Robert Chao 說。“這些陣列為在需要匹配傳感器活動的物聯網節點上工作的電路設計人員提供了一種從超級電容器或深循環電池收集電力的方法�！�

例如，一些潛在的能量收集源，例如僅產生 0.2V 的熱電發電機，產生的能量非常低，以至于它們幾乎不能用于驅動電子電路中的電源。ALD P 通道零閾值 (VGS(th)=0.00) EPAD MOSFET 陣列可與低壓升壓轉換器耦合，為低電平電源提供更大范圍的能量收集源。

該器件提供四通道版本，是 EPAD® 匹配對 MOSFET 系列的成員。零件可以從 ALD代理商 訂購，也可以直接從 ALD 訂購批量訂購的零件。100 件起價為 2.00 美元。