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      圖片信息
      SQM60030E_GE3圖片
      基本技術(shù)信息:
    1. 電子器件型號(hào):SQM60030E_GE3
    2. 原始制造廠商:Vishay,威世
    3. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
    4. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
    5. 點(diǎn)擊此處下載SQM60030E_GE3的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
    6. 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求!
    7. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    8. 制造商產(chǎn)品型號(hào):SQM60030E_GE3
    9. 制造商:Vishay Siliconix
    10. 描述:MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
    11. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
    12. 產(chǎn)品系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
    13. 零件狀態(tài):有源
    14. FET類型:N 通道
    15. 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
    16. 漏源電壓(Vdss):80V
    17. 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):120A(Tc)
    18. 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
    19. 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):3.2 毫歐 @ 30A,10V
    20. 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA
    21. 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):165nC @ 10V
    22. Vgs(最大值):±20V
    23. 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):12000pF @ 25V
    24. FET功能:-
    25. 功率耗散(最大值):375W(Tc)
    26. 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
    27. 安裝類型:表面貼裝型
    28. 器件封裝:D2PAK(TO-263)
    29. SQM60030E_GE3均從Vishay代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
    30. 時(shí)刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
      Vishay產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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