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      圖片信息
      SQM110N05-06L-GE3圖片
      基本技術(shù)信息:
    1. 電子器件型號(hào):SQM110N05-06L-GE3
    2. 原始制造廠商:Vishay,威世
    3. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N-CH 55V 110A TO263
    4. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:?jiǎn)味藞?chǎng)效應(yīng)管
    5. 點(diǎn)擊此處下載SQM110N05-06L-GE3的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
    6. 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求!
    7. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    8. Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào):SQM110N05-06L-GE3
    9. 制造商:Vishay Siliconix
    10. 描述:MOSFET N-CH 55V 110A TO263
    11. 系列:TrenchFET
    12. FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    13. FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
    14. 漏源極電壓 (Vdss):55V
    15. 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):110A(Tc)
    16. 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):6 毫歐 @ 30A,10V
    17. 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
    18. 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):110nC @ 10V
    19. 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):4440pF @ 25V
    20. 功率 - 最大值:157W
    21. 安裝類型:表面貼裝
    22. 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
    23. 供應(yīng)商器件封裝:TO-263(D2Pak)
    24. SQM110N05-06L-GE3均從Vishay代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
    25. 時(shí)刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
      Vishay產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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      深圳市南皇電子有限公司致力成為中國(guó)領(lǐng)先的IC供應(yīng)商現(xiàn)貨庫(kù)存優(yōu)化處理專家,一站式電子元器件采購(gòu)增值配套,快速響應(yīng)您的報(bào)價(jià)請(qǐng)求

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