尤物yw193无码点击进入,国色天香成人一区二区,精品国精品自拍自在线,一区二区三区四区五区自拍,亚洲少妇一区二区三区老

深圳市南皇電子有限公司長期提供SQJ464EP-T1_GE3（品牌: Vishay）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品

EN | 繁體

SQJ464EP-T1_GE3 - 南皇電子長期提供競爭力的價格、訂貨及技術(shù)支持，Vishay代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：SQJ464EP-T1_GE3

原始制造廠商：Vishay，威世

技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

點擊此處下載SQJ464EP-T1_GE3的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）

現(xiàn)貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：SQJ464EP-T1_GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：32A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：17 毫歐 @ 7.1A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：44nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：2086pF @ 30V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：45W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：PowerPAK? SO-8

SQJ464EP-T1_GE3均從Vishay代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

關(guān)注度比較高的相關(guān)Vishay威世產(chǎn)品：

質(zhì)量是南皇電子從眾多競爭對手中脫穎而出的關(guān)鍵因數(shù)

Vishay

Vishay

Vishay

Vishay

Vishay

Vishay

買到真正的SQJ464EP-T1_GE3原裝貨 - 來自全球授權(quán)的Vishay代理商、原廠貨源 - 深圳市南皇電子有限公司

深圳市南皇電子有限公司 - SQJ464EP-T1_GE3 - Vishay公司芯片現(xiàn)貨領導代理商

深圳市南皇電子有限公司致力成為中國領先的IC供應商現(xiàn)貨庫存優(yōu)化處理專家,一站式電子元器件采購增值配套,快速響應您的報價請求