深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供SISF06DN-T1-GE3（品牌: Vishay）充足現(xiàn)貨訂購、免費(fèi)樣品
技術(shù)參數(shù)詳解：
制造商產(chǎn)品型號(hào)：SISF06DN-T1-GE3制造商：Vishay Siliconix描述：COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列產(chǎn)品系列：TrenchFET? Gen IV零件狀態(tài)：有源FET類型：2 N 溝道（雙）共漏FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源電壓（Vdss）：30V25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：28A（Ta），101A（Tc）不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：4.5 歐姆 @ 7A，10V不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250μA不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：45nC @ 10V不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：2050pF @ 15V功率-最大值：5.2W（Ta），69.4W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：PowerPAK? 1212-8SCDSISF06DN-T1-GE3均從Vishay代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
