深圳市南皇電子有限公司長期提供SIHB12N65E-GE3（品牌: Vishay）充足現貨訂購、免費樣品
技術參數詳解：
制造商產品型號：SIHB12N65E-GE3制造商：Vishay Siliconix描述：MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個產品系列：-零件狀態：有源FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：650V25°C時電流-連續漏極(Id)：12A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：380 毫歐 @ 6A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：70nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1224pF @ 100VFET功能：-功率耗散（最大值）：156W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：D2PAK（TO-263）SIHB12N65E-GE3均從Vishay代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
