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      圖片信息
      

      SIB419DK-T1-GE3圖片
      

      

      

      

      基本技術信息：
      

    1. 電子器件型號：SIB419DK-T1-GE3
      2. 

    2. 原始制造廠商：Vishay，威世
      3. 

    3. 技術標準參數：MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6
      4. 

    4. 產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
      5. 

    5. 點擊此處下載SIB419DK-T1-GE3的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
      6. 

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      技術參數詳解：
      

    7. 制造商產品型號：SIB419DK-T1-GE3
    8. 制造商：Vishay Siliconix
    9. 描述：MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6
    10. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
    11. 產品系列：TrenchFET?
    12. 零件狀態：停產
    13. FET類型：P 通道
    14. 技術：MOSFET（金屬氧化物）
    15. 漏源電壓（Vdss）：12V
    16. 25°C時電流-連續漏極(Id)：9A（Tc）
    17. 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
    18. 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：60 毫歐 @ 5.2A，4.5V
    19. 不同Id時Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
    20. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：11.82nC @ 5V
    21. Vgs（最大值）：±8V
    22. 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：562pF @ 6V
    23. FET功能：-
    24. 功率耗散（最大值）：2.45W（Ta），13.1W（Tc）
    25. 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
    26. 安裝類型：表面貼裝型
    27. 器件封裝：PowerPAK? SC-75-6L 單
    28. SIB419DK-T1-GE3均從Vishay代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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