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深圳市南皇電子有限公司長期提供SI5857DU-T1-GE3（品牌: Vishay）充足現貨訂購、免費樣品

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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：SI5857DU-T1-GE3

原始制造廠商：Vishay，威世

技術標準參數：MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數詳解：

制造商產品型號：SI5857DU-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：LITTLE FOOT?

零件狀態：停產

FET類型：P 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：20V

25°C時電流-連續漏極(Id)：6A（Tc）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：58 毫歐 @ 3.6A，4.5V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：17nC @ 10V

Vgs（最大值）：±12V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：480pF @ 10V

FET功能：肖特基二極管（隔離式）

功率耗散（最大值）：2.3W（Ta），10.4W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：PowerPAK? ChipFet 雙

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Vishay

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