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      圖片信息
      

      HN3C51F-GR(TE85L,F圖片
      

      

      

      

      基本技術信息：
      

    1. 電子器件型號：HN3C51F-GR(TE85L,F
      2. 

    2. 原始制造廠商：Toshiba，東芝半導體
      3. 

    3. 技術標準參數：TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
      4. 

    4. 產品應用分類：晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列
      5. 

    5. 點擊此處下載HN3C51F-GR(TE85L,F的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
      6. 

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      7. 

      

      

      

      

      

      

      技術參數詳解：
      

    7. 制造商產品型號：HN3C51F-GR(TE85L,F
    8. 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
    9. 描述：TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
    10. 系列：晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列
    11. 零件狀態：停產
    12. 晶體管類型：2 NPN（雙）
    13. 電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA
    14. 電壓-集射極擊穿（最大值）：120V
    15. 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降（最大值）：300mV @ 1mA，10mA
    16. 電流-集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
    17. 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：200 @ 2mA，6V
    18. 功率-最大值：300mW
    19. 頻率-躍遷：100MHz
    20. 工作溫度：150°C（TJ）
    21. 安裝類型：表面貼裝型
    22. 封裝：SC-74，SOT-457
    23. HN3C51F-GR(TE85L,F均從Toshiba代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
      24. 

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