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      圖片信息
      M474A1G43DB0-CPB圖片
      基本技術信息:
    1. 電子器件型號:M474A1G43DB0-CPB
    2. 原始制造廠商:Samsung,三星半導體
    3. 技術標準參數:SAMSUNG DRAM NAND
    4. 產品應用分類:模塊
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    7. 技術參數詳解:
    8. 三星模塊型號:M474A1G43DB0-CPB
    9. 制造商:SAMSUNG(三星半導體)
    10. 功能類別:模塊
    11. DDR:四代雙倍數據率同步動態隨機存儲器
    12. DIMM 類型:ECC SODIMM
    13. 容量:8GB
    14. 內存區塊組織:2R x 8
    15. 速率:2133 Mbps
    16. 工作電壓:1.2 V
    17. 組件成分:(512M x 8) x 18
    18. M474A1G43DB0-CPB均從三星半導體代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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