深圳市南皇電子有限公司長期提供STI11NM60ND（品牌: ST）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品
技術參數(shù)詳解：
制造商產(chǎn)品型號：STI11NM60ND制造商：STMicroelectronics描述：MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個產(chǎn)品系列：FDmesh? II零件狀態(tài)：停產(chǎn)FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：600V25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：10A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：450 毫歐 @ 5A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：30nC @ 10VVgs（最大值）：±25V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：850pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：90W（Tc）工作溫度：150°C（TJ）安裝類型：通孔器件封裝：I2PAKSTI11NM60ND均從ST代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
