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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：RJH60F6DPK-00#T0

原始制造廠商：Renesas，瑞薩電子

技術(shù)標準參數(shù)：IGBT 600V 85A 297.6W TO-3P

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：RJH60F6DPK-00#T0

制造商：Renesas Electronics America Inc

描述：IGBT 600V 85A 297.6W TO-3P

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：有源

IGBT類型：溝道

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：85A

電流-集電極脈沖(Icm)：-

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：1.75V @ 15V，45A

功率-最大值：297.6W

開關(guān)能量：-

輸入類型：標準

柵極電荷：-

25°C時Td（開/關(guān)）值：58ns/131ns

測試條件：400V，30A，5 歐姆，15V

反向恢復(fù)時間(trr)：140ns

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-3P-3，SC-65-3

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