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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：RZY200P01TL

原始制造廠商：ROHM，羅姆

技術標準參數：MOSFET P-CH 12V 20A TCPT3

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數詳解：

制造商產品型號：RZY200P01TL

制造商：Rohm Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 12V 20A TCPT3

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：-

零件狀態：不適用於新設計

FET類型：P 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：12V

25°C時電流-連續漏極(Id)：20A（Ta）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：-

不同Id時Vgs(th)（最大值）：-

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：-

Vgs（最大值）：±10V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：-

FET功能：-

功率耗散（最大值）：20W（Tc）

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：TCPT3

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