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      圖片信息
      

      NSVMUN5212DW1T1G圖片
      

      

      

      

      基本技術信息：
      

    1. 電子器件型號：NSVMUN5212DW1T1G
      2. 

    2. 原始制造廠商：ON，ON安森美半導體
      3. 

    3. 技術標準參數：TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
      4. 

    4. 產品應用分類：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置
      5. 

    5. 點擊此處下載NSVMUN5212DW1T1G的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
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      7. 

      

      

      

      

      

      

      技術參數詳解：
      

    7. 制造商產品型號：NSVMUN5212DW1T1G
    8. 制造商：ON Semiconductor
    9. 描述：TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    10. 系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置
    11. 零件狀態：有源
    12. 晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）
    13. 電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA
    14. 電壓-集射極擊穿（最大值）：50V
    15. 電阻器-基極(R1)：22 千歐
    16. 電阻器-發射極(R2)：22 千歐
    17. 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：60 @ 5mA，10V
    18. 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降（最大值）：250mV @ 300μA，10mA
    19. 電流-集電極截止（最大值）：500nA
    20. 頻率-躍遷：-
    21. 功率-最大值：250mW
    22. 安裝類型：表面貼裝型
    23. 封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
    24. NSVMUN5212DW1T1G均從ON代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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