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      圖片信息
      

      NGTB03N60R2DT4G圖片
      

      

      

      

      基本技術信息：
      

    1. 電子器件型號：NGTB03N60R2DT4G
      2. 

    2. 原始制造廠商：ON，ON安森美半導體
      3. 

    3. 技術標準參數：IGBT 9A 600V DPAK
      4. 

    4. 產品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
      5. 

    5. 點擊此處下載NGTB03N60R2DT4G的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
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      7. 

      

      

      

      

      

      

      技術參數詳解：
      

    7. 制造商產品型號：NGTB03N60R2DT4G
    8. 制造商：ON Semiconductor
    9. 描述：IGBT 9A 600V DPAK
    10. 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
    11. 產品系列：-
    12. 零件狀態：有源
    13. IGBT類型：-
    14. 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
    15. 電流-集電極(Ic)（最大值）：9A
    16. 電流-集電極脈沖(Icm)：12A
    17. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，3A
    18. 功率-最大值：49W
    19. 開關能量：50μJ（開），27μJ（關）
    20. 輸入類型：標準
    21. 柵極電荷：17nC
    22. 25°C時Td（開/關）值：27ns/59ns
    23. 測試條件：300V，3A，30 歐姆，15V
    24. 反向恢復時間(trr)：65ns
    25. 工作溫度：175°C（TJ）
    26. 安裝類型：表面貼裝型
    27. 封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
    28. NGTB03N60R2DT4G均從ON代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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