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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供FQD12N20LTM-F085P（品牌: ON）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品

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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：FQD12N20LTM-F085P

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 9A TO252

產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi)：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：FQD12N20LTM-F085P

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 200V 9A TO252

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

產(chǎn)品系列：QFET?

零件狀態(tài)：不適用於新設(shè)計(jì)

FET類(lèi)型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：200V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：9A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：280 毫歐 @ 4.5A，10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：21nC @ 5V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：1080pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），55W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類(lèi)型：表面貼裝型

器件封裝：TO-252，（D-Pak）

FQD12N20LTM-F085P均從ON代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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