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      圖片信息
      

      PDTA115EMB圖片
      

      

      

      

      基本技術信息：
      

    1. 電子器件型號：PDTA115EMB
      2. 

    2. 原始制造廠商：Nexperia，安世半導體
      3. 

    3. 技術標準參數：TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN
      4. 

    4. 產品應用分類：雙極 (BJT) - 單，預偏置-晶體管
      5. 

    5. 點擊此處下載PDTA115EMB的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
      6. 

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      7. 

      

      

      

      

      

      

      技術參數詳解：
      

    7. Nexperia公司器件型號：PDTA115EMB,315
    8. 制造商：Nexperia USA Inc.（安世半導體）-2017年從NXP分離
    9. 功能總體描述：TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN
    10. 所屬類別：雙極 (BJT) - 單，預偏置-晶體管
    11. 系列：-
    12. 零件狀態：在售
    13. 晶體管類型：PNP - 預偏壓
    14. 電流 - 集電極（Ic）（最大值）：20mA
    15. 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V
    16. 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）：100k
    17. 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）：100k
    18. 不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）：80 @ 5mA，5V
    19. 不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值）：150mV @ 250μA，5mA
    20. 電流 - 集電極截止（最大值）：1μA
    21. 頻率 - 躍遷：180MHz
    22. 功率 - 最大值：250mW
    23. 安裝類型：表面貼裝
    24. 封裝形式：3-XFDFN
    25. Nexperia公司標準封裝：3-DFN1006B（0.6x1）
    26. PDTA115EMB的標準包裝數量(SPQ)：10000 PCS
    27. PDTA115EMB均從Nexperia代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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