精品一区二区三区蜜桃久,色老99久久九九爱精品,亚洲精品一区二区制服,强奷漂亮少妇高潮麻豆,嗯灬啊灬把腿张开灬动态图

深圳市南皇電子有限公司長期提供PMT200EN,115（品牌: NXP）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品

EN | 繁體

PMT200EN,115 - 南皇電子長期提供競爭力的價格、訂貨及技術(shù)支持，NXP代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：PMT200EN,115

原始制造廠商：NXP，恩智浦半導(dǎo)體

技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

點擊此處下載PMT200EN,115的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：PMT200EN,115

制造商：NXP USA Inc.

描述：MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：100V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：1.8A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：235 毫歐 @ 1.5A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：10nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：475pF @ 80V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：800mW（Ta），8.3W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：SOT-223

PMT200EN,115均從NXP代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

關(guān)注度比較高的相關(guān)NXP恩智浦產(chǎn)品：

質(zhì)量是南皇電子從眾多競爭對手中脫穎而出的關(guān)鍵因數(shù)

NXP

NXP

NXP

NXP

NXP

NXP

買到真正的PMT200EN,115原裝貨 - 來自全球授權(quán)的NXP代理商、原廠貨源 - 深圳市南皇電子有限公司

深圳市南皇電子有限公司 - PMT200EN,115 - NXP公司芯片現(xiàn)貨領(lǐng)導(dǎo)代理商

深圳市南皇電子有限公司致力成為中國領(lǐng)先的IC供應(yīng)商現(xiàn)貨庫存優(yōu)化處理專家,一站式電子元器件采購增值配套,快速響應(yīng)您的報價請求