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      圖片信息
      

      APTM10DHM09T3G圖片
      

      

      

      

      基本技術信息：
      

    1. 電子器件型號：APTM10DHM09T3G
      2. 

    2. 原始制造廠商：Microsemi，美高森美
      3. 

    3. 技術標準參數：MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
      4. 

    4. 產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
      5. 

    5. 點擊此處下載APTM10DHM09T3G的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
      6. 

    6. 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！
      7. 

      

      

      

      

      

      

      技術參數詳解：
      

    7. 制造商產品型號：APTM10DHM09T3G
    8. 制造商：Microsemi Corporation
    9. 描述：MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
    10. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
    11. 產品系列：POWER MOS V?
    12. 零件狀態：停產
    13. FET類型：2 N 溝道（雙）非對稱型
    14. FET功能：標準
    15. 漏源電壓（Vdss）：100V
    16. 25°C時電流-連續漏極(Id)：139A
    17. 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：10 毫歐 @ 69.5A，10V
    18. 不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 2.5mA
    19. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：350nC @ 10V
    20. 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：9875pF @ 25V
    21. 功率-最大值：390W
    22. 工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
    23. 安裝類型：底座安裝
    24. 封裝：SP3
    25. APTM10DHM09T3G均從Microsemi代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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