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      圖片信息
      

      APTGT75A1202G圖片
      

      

      

      

      基本技術信息：
      

    1. 電子器件型號：APTGT75A1202G
      2. 

    2. 原始制造廠商：Microsemi，美高森美
      3. 

    3. 技術標準參數：IGBT MODULE 1200V 110A 357W SP2
      4. 

    4. 產品應用分類：晶體管 - IGBT - 模塊
      5. 

    5. 點擊此處下載APTGT75A1202G的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
      6. 

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      7. 

      

      

      

      

      

      

      技術參數詳解：
      

    7. 制造商產品型號：APTGT75A1202G
    8. 制造商：Microsemi Corporation
    9. 描述：IGBT MODULE 1200V 110A 357W SP2
    10. 系列：晶體管 - IGBT - 模塊
    11. 零件狀態：停產
    12. IGBT類型：溝槽型場截止
    13. 配置：半橋
    14. 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
    15. 電流-集電極(Ic)（最大值）：110A
    16. 功率-最大值：357W
    17. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，75A
    18. 電流-集電極截止（最大值）：50μA
    19. 不同?Vce時輸入電容(Cies)：5.34nF @ 25V
    20. 輸入：標準
    21. NTC熱敏電阻：無
    22. 工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
    23. 安裝類型：底座安裝
    24. 封裝：SP2
    25. APTGT75A1202G均從Microsemi代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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