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      圖片信息
      

      APT65GP60L2DQ2G圖片
      

      

      

      

      基本技術信息：
      

    1. 電子器件型號：APT65GP60L2DQ2G
      2. 

    2. 原始制造廠商：Microsemi，美高森美
      3. 

    3. 技術標準參數：IGBT 600V 198A 833W TO264
      4. 

    4. 產品應用分類：單路IGBT
      5. 

    5. 點擊此處下載APT65GP60L2DQ2G的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
      6. 

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      7. 

      

      

      

      

      

      

      技術參數詳解：
      

    7. Microsemi美高森美完整型號：APT65GP60L2DQ2G
    8. 制造廠家名稱：Microsemi Power Products Group
    9. 描述：IGBT 600V 198A 833W TO264
    10. 系列：POWER MOS 7
    11. IGBT 類型：PT
    12. 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
    13. 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：198A
    14. Current - Collector Pulsed (Icm)：250A
    15. 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2.7V @ 15V，65A
    16. 功率 - 最大值：833W
    17. Switching Energy：605μJ （開）， 895μJ （關）
    18. 輸入類型：標準
    19. Gate Charge：210nC
    20. 25°C 時 Td（開/關）值：30ns/90ns
    21. Test Condition：400V, 65A, 5 歐姆, 15V
    22. 反向恢復時間 (trr)：-
    23. 封裝/外殼：TO-264-3，TO-264AA
    24. 安裝類型：通孔
    25. 供應商器件封裝：*
    26. APT65GP60L2DQ2G均從Microsemi代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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