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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供SPB08P06P G（品牌: Infineon）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品

SPB08P06P G - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，Infineon代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：SPB08P06P G

原始制造廠商：Infineon，英飛凌

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263

產(chǎn)品應(yīng)用分類：?jiǎn)味藞?chǎng)效應(yīng)管

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

Infineon英飛凌公司完整型號(hào)：SPB08P06P G

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263

系列：SIPMOS

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：60V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：8.8A（Ta）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：300 毫歐 @ 6.2A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：13nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：420pF @ 25V

功率 - 最大值：42W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-2

SPB08P06P G均從Infineon代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

Infineon

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深圳市南皇電子有限公司 - SPB08P06P G - Infineon公司芯片現(xiàn)貨領(lǐng)導(dǎo)代理商

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