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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供FF200R12KT3EHOSA1（品牌: Infineon）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品

FF200R12KT3EHOSA1 - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，Infineon代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：FF200R12KT3EHOSA1

原始制造廠商：Infineon，英飛凌

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT MODULE 1200V 1050W

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - IGBT - 模塊

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：FF200R12KT3EHOSA1

制造商：Infineon Technologies

描述：IGBT MODULE 1200V 1050W

系列：晶體管 - IGBT - 模塊

零件狀態(tài)：有源

IGBT類型：-

配置：2 個(gè)獨(dú)立式

電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V

電流-集電極(Ic)（最大值）：-

功率-最大值：1050W

不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.15V @ 15V，200A

電流-集電極截止（最大值）：5mA

不同?Vce時(shí)輸入電容(Cies)：14nF @ 25V

輸入：標(biāo)準(zhǔn)

NTC熱敏電阻：無(wú)

工作溫度：-40°C ~ 125°C

安裝類型：底座安裝

封裝：模塊

FF200R12KT3EHOSA1均從Infineon代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

Infineon

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