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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供VWM200-01P（品牌: IXYS）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品

VWM200-01P - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，IXYS代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：VWM200-01P

原始制造廠商：IXYS

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET 6N-CH 100V 210A V2

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：VWM200-01P

制造商：IXYS（IXYS已被Littelfuse收購(gòu)）

描述：MOSFET 6N-CH 100V 210A V2

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：6 N-溝道（3 相橋）

FET功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源電壓（Vdss）：100V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：210A

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：5.2 毫歐 @ 100A，10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：4V @ 2mA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：430nC @ 10V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：-

功率-最大值：-

工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：V2-PAK

VWM200-01P均從IXYS代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

IXYS

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深圳市南皇電子有限公司 - VWM200-01P - IXYS公司芯片現(xiàn)貨領(lǐng)導(dǎo)代理商

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