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      圖片信息
      IXGT35N120B圖片
      基本技術(shù)信息:
    1. 電子器件型號(hào):IXGT35N120B
    2. 原始制造廠商:IXYS
    3. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):IGBT 1200V 70A 300W TO268
    4. 產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi):晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
    5. 點(diǎn)擊此處下載IXGT35N120B的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
    6. 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求!
    7. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    8. 制造商產(chǎn)品型號(hào):IXGT35N120B
    9. 制造商:IXYS(IXYS已被Littelfuse收購(gòu))
    10. 描述:IGBT 1200V 70A 300W TO268
    11. 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
    12. 產(chǎn)品系列:HiPerFAST?
    13. 零件狀態(tài):有源
    14. IGBT類(lèi)型:PT
    15. 電壓-集射極擊穿(最大值):1200V
    16. 電流-集電極(Ic)(最大值):70A
    17. 電流-集電極脈沖(Icm):140A
    18. 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)(最大值):3.3V @ 15V,35A
    19. 功率-最大值:300W
    20. 開(kāi)關(guān)能量:3.8mJ(關(guān))
    21. 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn)
    22. 柵極電荷:170nC
    23. 25°C時(shí)Td(開(kāi)/關(guān))值:50ns/180ns
    24. 測(cè)試條件:960V,35A,5 歐姆,15V
    25. 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):-
    26. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
    27. 安裝類(lèi)型:表面貼裝型
    28. 封裝:TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA
    29. IXGT35N120B均從IXYS代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
    30. 時(shí)刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
      IXYS產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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      深圳市南皇電子有限公司 - IXGT35N120B - IXYS公司芯片現(xiàn)貨領(lǐng)導(dǎo)代理商

      深圳市南皇電子有限公司致力成為中國(guó)領(lǐng)先的IC供應(yīng)商現(xiàn)貨庫(kù)存優(yōu)化處理專(zhuān)家,一站式電子元器件采購(gòu)增值配套,快速響應(yīng)您的報(bào)價(jià)請(qǐng)求

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