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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：IRF6706S2TR1PBF

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET-S1

產(chǎn)品應(yīng)用分類：單端場效應(yīng)管

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：IRF6706S2TR1PBF

制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購

描述：MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET-S1

系列：HEXFET

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：25V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：17A（Ta），63A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：3.8 毫歐 @ 17A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：20nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1810pF @ 13V

功率 - 最大值：1.8W

安裝類型：表面貼裝

產(chǎn)品封裝：DirectFET 等容 S1

供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFET S1

IRF6706S2TR1PBF均從IR代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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