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      圖片信息
      

      HGT1S10N120BNST圖片
      

      

      

      

      基本技術信息：
      

    1. 電子器件型號：HGT1S10N120BNST
      2. 

    2. 原始制造廠商：Fairchild，仙童，飛兆
      3. 

    3. 技術標準參數：IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
      4. 

    4. 產品應用分類：單路IGBT
      5. 

    5. 點擊此處下載HGT1S10N120BNST的原廠技術規格手冊Datasheet（PDF文件）
      6. 

    6. 現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！
      7. 

      

      

      

      

      

      

      技術參數詳解：
      

    7. 制造商產品型號：HGT1S10N120BNST
    8. 制造廠家名稱：Fairchild 仙童半導體（已被ON安森美收購）
    9. 描述：IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
    10. 系列：-
    11. IGBT 類型：NPT
    12. 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V
    13. 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：35A
    14. Current - Collector Pulsed (Icm)：80A
    15. 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2.7V @ 15V，10A
    16. 功率 - 最大值：298W
    17. Switching Energy：320μJ （開）， 800μJ （關）
    18. 輸入類型：標準
    19. Gate Charge：100nC
    20. 25°C 時 Td（開/關）值：23ns/165ns
    21. Test Condition：960V, 10A, 10 歐姆, 15V
    22. 反向恢復時間 (trr)：-
    23. 產品封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
    24. 安裝類型：表面貼裝
    25. 供應商器件封裝：TO-263AB
    26. HGT1S10N120BNST均從Fairchild代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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      深圳市南皇電子有限公司 - HGT1S10N120BNST - Fairchild公司芯片現貨領導代理商
      
  
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      除Fairchild外，我司還在以下品牌具有優勢：Weidmuller | Walsin | TXC | Transphorm | Telit | 
      

      

      

      

      



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