深圳市南皇電子有限公司長期提供DMT67M8LCGQ-13（品牌: Diodes）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品
技術參數(shù)詳解：
制造商產(chǎn)品型號：DMT67M8LCGQ-13制造商：Diodes Incorporated描述：MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101零件狀態(tài)：有源FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：60V25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：16A（Ta），64.6A（Tc）驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：5.7 毫歐 @ 20A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：37.5nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：2130pF @ 30VFET功能：-功率耗散（最大值）：900mW（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：V-DFN3333-8（B 類）DMT67M8LCGQ-13均從Diodes代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
