Navitas 宣布通過開設新的設計中心進軍更高功率市場致力于帶來下一代 GaN 功率 IC 和相關的高效、高功率密度系統，使世界各地的數據中心能夠從硅升級到 GaN，從而顯著提高節能效果，降低電力成本并減少 CO 2排放。

氮化鎵 (GaN) 器件是功率半導體技術的前沿，其運行速度比傳統硅芯片快 20 倍。Navitas 的 GaNFast™ 電源 IC 集成了 GaN 電源、GaN 驅動、保護和控制。高速和高效率轉化為節能、高功率密度、低成本和更高可靠性方面的新行業基準。

新的設計中心位于中國杭州，擁有一支經驗豐富的世界級電力系統設計師團隊，他們在電氣、熱力和機械設計、軟件開發以及完整的仿真和原型設計能力方面具有全面的能力。新團隊將在全球范圍內為數據中心電力客戶提供支持，從概念到原型，再到全面認證和大規模生產。

設計中心將為全功能、可生產的數據中心電源開發原理圖、布局和固件。最高功率密度和最高效率的創新解決方案將 GaN 的價值帶入主流數據中心。此外，還將為磁性材料、熱基板和其他材料建立多個合作伙伴關系，以幫助客戶優化其電源設計。

Navitas 估計，從傳統硅升級到新的 GaN 可以節省高達 40% 的能源，并在全球范圍內每年節省 1.9B 美元的數據中心電力成本。數據中心電源符合嚴格的效率標準，極端“鈦”級要求在 50% 負載下達到 96% 的效率。這些新基準不僅由 GaN 技術實現，而且還受到法規的要求，例如歐盟的“指令 2009/125/EC，2019 附件”，該指令規定數據新中心電源必須從 1 月 1 日起達到“鈦”級效率圣, 2023.

“納微數據中心團隊擁有 GaN 功率 IC 的新技術技能，以及真正的電源設計和認證經驗，”納微中國副總裁兼總經理 Charles ZHA 說。“第一個證明點是 1.2kW 的‘Titanium plus’設計，它不僅超過了數據中心電源的最高效率標準，而且經過價值工程設計，成本低于傳統硅設計。在此之后，它會出現在 2.2kW 和 3kW 平臺上。”

1.2kW的設計是與億陽和杭州FRD合作開發的，目前正在評估2022年量產。斷電構建模塊加快了原型制作和首次正確設計的時間。” FRD 電源事業部總經理 Ray GU 表示：“GaNFast 電源 IC 對于實現 Titanium Plus 效率至關重要，這是下一代數據中心電源的關鍵里程碑。這將有助于 FRD 加強其產品組合并為企業客戶提供全面的解決方案。”

“隨著數據和通信繼續呈指數級增長，數據中心升級到 GaNFast 電源 IC 以降低成本、最大限度地節省能源并減少 CO 2排放至關重要，”聯合創始人兼首席執行官 Gene SHERIDAN 說。“作為一個關鍵的擴張市場，我們在最近的 IPO 資金之前就進行了招募，而對我們數據中心設計團隊的信任已經帶來了回報。通過與世界各地的數據中心工程師合作，我們可以加速采用基于 GaN 的數據中心，并對節能、電力成本和 CO 2排放產生重大影響。”

制造 GaN 功率 IC 的 CO 2足跡比硅芯片低 10 倍，考慮到用例效率、材料尺寸和重量優勢，每個出貨的 GaN 功率 IC 可以節省 4 kg CO 2。總體而言，到2050年，GaN 有望實現每年減少 2.6 Gton 的 CO 2排放量。

有關樣品、詳細規格、價格和交貨報價及更多信息，請聯系當地的Navitas代理商進行詢問。