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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供SSM6N815R,LF（品牌: Toshiba）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品

SSM6N815R,LF - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，Toshiba代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：SSM6N815R,LF

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：SSM6N815R,LF

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產(chǎn)品系列：U-MOSVIII-H

零件狀態(tài)：有源

FET類型：2 N-通道（雙）

FET功能：邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng)

漏源電壓（Vdss）：100V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：2A（Ta）

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：103 毫歐 @ 2A，10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 100μA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：3.1nC @ 4.5V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：290pF @ 15V

功率-最大值：1.8W（Ta）

工作溫度：150°C

安裝類型：表面貼裝型

封裝：6-SMD，扁平引線

SSM6N815R,LF均從Toshiba代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

Toshiba

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