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      圖片信息
      SI8275DA-IM1R圖片
      基本技術(shù)信息:
    1. 電子器件型號(hào):SI8275DA-IM1R
    2. 原始制造廠商:Silicon Labs
    3. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR
    4. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:隔離器 - 柵極驅(qū)動(dòng)器
    5. 點(diǎn)擊此處下載SI8275DA-IM1R的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
    6. 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求!
    7. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    8. 制造商產(chǎn)品型號(hào):SI8275DA-IM1R
    9. 制造商:Silicon Labs
    10. 描述:4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR
    11. 系列:隔離器 - 柵極驅(qū)動(dòng)器
    12. 產(chǎn)品系列:Automotive, AEC-Q100
    13. 零件狀態(tài):有源
    14. 技術(shù):容性耦合
    15. 通道數(shù):2
    16. 電壓-隔離:1000Vrms
    17. 共模瞬變抗擾度(最小值):150kV/μs
    18. 傳播延遲tpLH/tpHL(最大值):60ns,60ns
    19. 脈寬失真(最大):8ns
    20. 上升/下降時(shí)間(典型值):10.5ns,13.3ns
    21. 電流-輸出高、低:1.8A,4A
    22. 電流-峰值輸出:4A
    23. 電壓-正向(Vf)(典型值):-
    24. 電流-DC正向(If)(最大值):-
    25. 電壓-?輸出供電:4.2V ~ 30V
    26. 工作溫度:-40°C ~ 125°C
    27. 安裝類型:表面貼裝型
    28. 封裝:14-VDFN
    29. 供應(yīng)商器件封裝:14-QFN(5x5)
    30. SI8275DA-IM1R均從Silicon Labs代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
    31. 時(shí)刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
      Silicon Labs產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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      深圳市南皇電子有限公司致力成為中國(guó)領(lǐng)先的IC供應(yīng)商現(xiàn)貨庫(kù)存優(yōu)化處理專家,一站式電子元器件采購(gòu)增值配套,快速響應(yīng)您的報(bào)價(jià)請(qǐng)求

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